可控硅模塊運(yùn)行特性介紹

2022-05-13

阻斷狀態(tài)：IG=0，a1+a2極小。穿過(guò)可控硅模塊的漏電流稍超過(guò)2個(gè)晶體管漏電流之和。開(kāi)通狀態(tài)：注入觸發(fā)電流使晶體管的發(fā)射極電流增加以至a1+a2趨于于1的話，穿過(guò)可控硅模塊的電流IA，將趨于于無(wú)窮大，完成飽和導(dǎo)通。IA事實(shí)上因?yàn)橥饩€路負(fù)載的限制，會(huì)維系有限值。其它幾種可能導(dǎo)通的狀況：1）陽(yáng)極電壓上升至很高的數(shù)值產(chǎn)生雪崩效應(yīng)2）陽(yáng)極電壓上升率du/dt過(guò)高3）結(jié)溫較高4）光觸發(fā)僅有門(mén)極觸發(fā)是最精準(zhǔn)、快速而可靠的控制手段。可控硅模塊的4點(diǎn)運(yùn)行特性可控硅模塊正常運(yùn)行時(shí)的特性歸納之下：1）承擔(dān)反方向電壓時(shí)，不管門(mén)極是不是有觸發(fā)電流，可控硅模塊都不...

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igbt的動(dòng)態(tài)工作特性

2022-05-12

igbt在開(kāi)通過(guò)程中，大多數(shù)時(shí)間是當(dāng)作MOSFET來(lái)運(yùn)作的，僅是在漏源電壓Uds下降過(guò)程后期，PNP晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。td(on)為開(kāi)通延遲時(shí)間，tri為電流上升時(shí)間。實(shí)際上使用中常給出的漏極電流開(kāi)通時(shí)間ton即是td(on)tri之和。漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1和tfe2即是。igbt的觸發(fā)和斷開(kāi)要求給其柵極和基極間再加上正方向電壓和負(fù)向電壓，柵極電壓可由不一樣的驅(qū)動(dòng)線路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這類驅(qū)動(dòng)線路時(shí)，務(wù)必基于之下的參數(shù)來(lái)進(jìn)行：元器件斷開(kāi)偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因?yàn)閕gbt柵極-發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行觸發(fā)，不過(guò)因?yàn)閕gbt的輸入電容較...

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可控硅內(nèi)部結(jié)構(gòu)與工作原理

2022-05-11

可控硅外型有螺栓型和平板型2種封裝。有3個(gè)連接端。螺栓型封裝，一般螺栓是其陽(yáng)極，能與散熱器緊密連接且組裝便捷。平板型可控硅可由2個(gè)散熱器將其夾在中間。 圖1.可控硅的外型、構(gòu)造和電氣圖形符號(hào) a）外型b）構(gòu)造c）電氣圖形符號(hào)常用可控硅的構(gòu)造 按晶體管的原理，得： Ic1=a1IA+ICBO1      （1-1） Ic2=a2IK+ICBO2     （1-2） IK=IA+IG         &n...

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igbt模塊的靜態(tài)工作特性

2022-05-10

igbt模塊的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開(kāi)關(guān)特性。igbt模塊的伏安特性指的是以柵源電壓Ugs為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止模式下的igbt模塊，正方向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反方向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。倘若無(wú)N+緩沖區(qū)，則正反方向阻斷電壓可以達(dá)到同樣的水平，進(jìn)入N+緩沖區(qū)后，反方向斷開(kāi)電壓只可以達(dá)到幾十伏水平，所以限制了igbt模塊的某一些使用范圍。igbt模塊的轉(zhuǎn)移特性指的是輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性一樣...

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可控硅模塊的使用

2022-05-09

一、可控整流好比二極管整流一樣，能夠把交流整流為直流，且在交流電壓沒(méi)變的狀況下，便于地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，完成交流——可變直流。 二、交流調(diào)壓與調(diào)功借助可控硅模塊的開(kāi)關(guān)特性替換老式的接觸調(diào)壓器、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓。為了能清除可控硅模塊交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波，出現(xiàn)了1種過(guò)零觸發(fā)，完成負(fù)載交流功率的無(wú)級(jí)調(diào)節(jié)即可控硅模塊調(diào)功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流，由高壓直流遠(yuǎn)距離輸送以降低耗損，增加電力網(wǎng)的穩(wěn)定，之后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流。直流——交流。中頻加熱和交流電動(dòng)機(jī)的變頻調(diào)速、串激調(diào)速等變頻，交流——頻率可變...

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